ÃÛÌÒ´«Ã½app

ECSE 533 Physical Basis of Semiconductor Devices (3 unités)

Nota : Ceci est la version 2012–2013 de l’annuaire électronique. Veuillez mettre à jour l’année dans la barre d’adresse de votre navigateur pour une version plus récente de cette page, ou cliquez ici pour consulter l'annuaire la plus récente.

Offert par : Génie électr. et informatique (Génie et l'architecture)

Vue d'ensemble

Génie électrique : Quantitative analysis of diodes and transistors. Semiconductor fundamentals, equilibrium and non-equilibrium carrier transport, and Fermi levels. PN junction diodes, the ideal diode, and diode switching. Bipolar Junction Transistors (BJT), physics of the ideal BJT, the Ebers-Moll model. Field effect transistors, metal-oxide semiconductor structures, static and dynamic behaviour, small-signal models.

Trimestres : Hiver 2013

Chargés de cours : Shih, Ishiang (Winter)

Back to top